М2000НМ1-36К20Х12Х6

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
ADG413BRZ	2 норм. разомкн.и 2 норм. замкн. ключа, 35 Ом	ANALOG DEVICES
ADG413BRZ	2 норм. разомкн.и 2 норм. замкн. ключа, 35 Ом	ANALOG
ADG413BRZ	2 норм. разомкн.и 2 норм. замкн. ключа, 35 Ом	Analog Devices Inc
ADG413BRZ	2 норм. разомкн.и 2 норм. замкн. ключа, 35 Ом	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ADG413BRZ	2 норм. разомкн.и 2 норм. замкн. ключа, 35 Ом	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
ADG413BRZ	2 норм. разомкн.и 2 норм. замкн. ключа, 35 Ом
IRF7341PBF	Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7341PBF	Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
IRF7341PBF	Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7341PBF	Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INFINEON
S20K320	184Дж.	JOYIN
S20K320	184Дж.	EPCOS
S20K320	184Дж.		39.48
S20K320	184Дж.	EPCOS
S20K320	184Дж.	EPCOS Inc
S20K320	184Дж.	TDK (EPCOS)
S20K320	184Дж.	TDK-EPC
К73-17-100-0.1 20%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В		6.80