|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
100МКФ 25В (8Х5) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
100МКФ 25В (8Х5) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25В
|
|
|
24.00
|
|
|
|
100МКФ 63В (10Х21, АКС) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
100МКФ 63В (10Х21, АКС) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63В
|
|
|
28.80
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
|
|
146.96
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
SILICONIX
|
1
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
INTERSIL
|
5
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
Intersil
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
464
|
|
|
|
|
LM2937ES-3.3/NOPB |
|
Стабилизатор 3,3V 0,5A
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2937ES-3.3/NOPB |
|
Стабилизатор 3,3V 0,5A
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2937ES-3.3/NOPB |
|
Стабилизатор 3,3V 0,5A
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2937ES-3.3/NOPB |
|
Стабилизатор 3,3V 0,5A
|
TEXAS
|
98
|
149.85
|
|
|
|
LM2937ES-3.3/NOPB |
|
Стабилизатор 3,3V 0,5A
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM2937ES-3.3/NOPB |
|
Стабилизатор 3,3V 0,5A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2937ES-3.3/NOPB |
|
Стабилизатор 3,3V 0,5A
|
|
4
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
42.12
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
52
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
666
|
|
|