Версия для печати
Технические характеристики 1210-X5R-22.0UF 10% 16V

Тип	Керамический
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1210
Емкость	22.0 мкФ
Номинальное напряжение	16 В
Температурный коэфициент	X5R

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

Синонимы от поставщиков: 1210-X5R-22.0uF 10% 16V ; 1210-X5R ; 1210 X5R ; 1210 — X5R ; 1210X5R ; конденсатор 1210-X5R ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0603-X7R-1500ПФ 50 (10%)
		293D107X96R3B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 100мкФ, 6.3В, 10%, тип B	SPRAGUE
		293D107X96R3B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 100мкФ, 6.3В, 10%, тип B	VISHAY	233 760	17.86
		293D107X96R3B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 100мкФ, 6.3В, 10%, тип B
		293D107X96R3B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 100мкФ, 6.3В, 10%, тип B	SPRAGUE
		293D107X96R3B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 100мкФ, 6.3В, 10%, тип B	VISHAY
		293D107X96R3B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 100мкФ, 6.3В, 10%, тип B	Vishay/Sprague
		293D107X96R3B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 100мкФ, 6.3В, 10%, тип B	КИТАЙ
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	AMS	20	14.23
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	AMSI
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА		19 560	3.83
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	КИТАЙ
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	YOUTAI	83 704	3.53
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	YONGYUTAI
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	UMW-YOUTAI
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	FULIHAO TECH	4	7.87
		AMS1117-3.3		ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	SLKOR	1 456	4.16
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		79 527	1.34
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	3.04
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	442 251	1.28
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	16 004	1.36
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	30 838	1.87
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	40 540	1.30
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	93 786	1.66
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	27 400	1.22
		TECAP 22/35V D 10		Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 35 В	VISHAY

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"