Версия для печати
Технические характеристики 2N4923

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 100mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 500mA, 1V
Power - Max	30W
Frequency - Transition	3MHz
Корпус	TO225AA

2N4923 Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 2N4923 datasheet 110.32Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ST MICROELECTRONICS
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	STMicroelectronics
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		1 365	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	442	23.45
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	815	10.96
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	732	8.45
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz			29.56
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS	2 920	43.71
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR	9
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	STMicroelectronics
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	CDIL
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRO
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	HOTTECH	568	10.34
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	JSCJ	7 420	8.57

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3906BU			FAIR
		2N3906BU					8.00
		2N3906BU			FAIRCHILD
		2N3906BU			FAIRCHILD	151
		2N3906BU			Fairchild Semiconductor
		2N3906BU			FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		2N3906BU			FSC
		2N3906BU			ONS	2 338	12.71
		2N3906BU			ON SEMICONDUCTOR	44
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18	MOTOROLA
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18			214.32
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18	SILICONIX
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18	MOTOROLA
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18	VISHAY
		2SC4804		Биполярный транзистор NPN 900V, 3A, 30W, Tf<300nS	SHIN
		2SC4804		Биполярный транзистор NPN 900V, 3A, 30W, Tf<300nS		1	166.32
		2SC4804		Биполярный транзистор NPN 900V, 3A, 30W, Tf<300nS	СИНГАПУР
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		303	31.28
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ	800	37.59
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	1 656	37.80
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ815А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ818ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP		17	277.50
		КТ818ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	223	563.23
		КТ818ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	592	462.00
		КТ818ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	УЛЬЯНОВСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"