|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
|
|
13.32
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
JCET
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
|
1
|
40.70
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
2SA1020 |
|
Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
2SA684 |
|
Si-P, 60V, 1A, 1W, 200MHz
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SA817A |
|
PNP 80V, 0.4A, 0.8W, 100MHz (Comp. 2SC1627A)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SB764 |
|
Биполярный транзистор
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SB764 |
|
Биполярный транзистор
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SB764 |
|
Биполярный транзистор
|
|
|
20.96
|
|
|
|
2SB764 |
|
Биполярный транзистор
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ZTX550 |
|
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
ZTX550 |
|
|
ZETEX
|
148
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
|
|
20.96
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
JSCJ
|
1 504
|
101.20
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
|
|
16.60
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MUR
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/100V 1842 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/100V 1842 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/100V 1842 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С
|
|
|
140.00
|
|
|
|
ECAP 1000/100V 1842 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 100 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
|
24.80
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
2 716
|
42.00
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КЦ106Г |
|
Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА
|
|
208
|
125.12
|
|
|
|
КЦ106Г |
|
Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КЦ106Г |
|
Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА
|
СЗТП
|
26
|
120.96
|
|
|
|
КЦ106Г |
|
Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|