|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
700-101BAB-B00 |
|
Датчик температуры, -70 .. +500°С, сопротивление 100 Ом, точность +0.12 %, корпус 2,1 ...
|
HONEY
|
|
|
|
|
|
700-101BAB-B00 |
|
Датчик температуры, -70 .. +500°С, сопротивление 100 Ом, точность +0.12 %, корпус 2,1 ...
|
HONEYWELL
|
|
|
|
|
|
700-101BAB-B00 |
|
Датчик температуры, -70 .. +500°С, сопротивление 100 Ом, точность +0.12 %, корпус 2,1 ...
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
|
|
182.40
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
|
|
212.28
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
-
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
12 970
|
39.38
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
15 063
|
44.00
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 760
|
108.24
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
ПЭВ-10 3.0К 10% |
|
|
АЛЗАС
|
|
|
|
|
|
ПЭВ-10 3.0К 10% |
|
|
|
|
|
|