|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
324
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
516
|
31.63
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
|
|
300.00
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
JSMICRO
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
|
239
|
156.74
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
47
|
653.40
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
|
|
491.08
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
1
|
453.60
|
|
|
|
IRG4PC50F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
1
|
|
|
|