2SJ352

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SJ352		491.16

Версия для печати

Технические характеристики 2SJ352

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 10V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P-3, SC-65-3
Корпус	TO-3P

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SJ352 (Полевые МОП транзисторы)

Silicon P-channel Mos Fet

Производитель:
Hitachi Semiconductor
//www.hitachi.com

2SJ352 datasheet
42.93Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SA1295	Транзистор биполярный PNP Hi-Fi, 230V, 17A, 200W, 35MHz		420.00
2SA1295	Транзистор биполярный PNP Hi-Fi, 230V, 17A, 200W, 35MHz	SANKEN
2SC3264	Транзистор S-N, 230В, 17A, MT200	SK
2SC3264	Транзистор S-N, 230В, 17A, MT200	SANKEN
2SC3264	Транзистор S-N, 230В, 17A, MT200		528.00
2SC3264	Транзистор S-N, 230В, 17A, MT200	СИНГАПУР
2SK2221	Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)	HITACHI
2SK2221	Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)	HIT
2SK2221	Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)		478.76
HEF4081BT		PHILIPS
HEF4081BT			72.00
HEF4081BT		NXP
HEF4081BT		NXP
HEF4081BT		PHILIPS
HEF4081BT		NEX-NXP
IRFB31N20D	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB31N20D	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R		222.00
IRFB31N20D	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	КИТАЙ
IRFB31N20D	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON
IRFB31N20D	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON TECHNOLOGIES