2SJ352


Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)

Купить 2SJ352 по цене 491.16 руб.  (без НДС 20%)
2SJ352
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
2SJ352 цена радиодетали 491.16 

Версия для печати

Технические характеристики 2SJ352

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds800pF @ 10V
Power - Max100W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-3P-3, SC-65-3
КорпусTO-3P
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SJ352 (Полевые МОП транзисторы)

Silicon P-channel Mos Fet

Производитель:
Hitachi Semiconductor
//www.hitachi.com

2SJ352 datasheet
42.93Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  2SK2221 Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)   HITACHI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  2SK2221 Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)   HIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
  2SK2221 Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)     Заказ радиодеталей 478.76 
SN74HC164N Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
SN74HC164N Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный     Заказ радиодеталей 38.40 
SN74HC164N Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный   TEXAS INSTRUMENTS 47 цена радиодетали
SN74HC164N Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
HFA25TB60 Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
HFA25TB60 Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
HFA25TB60 Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)     Заказ радиодеталей 273.12 
HFA25TB60 Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)   Vishay/Semiconductors Заказ радиодеталей цена радиодетали
HFA25TB60 Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
HFA25TB60 Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   INTERNATIONAL RECTIFIER 8 193.80 
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A     2 360.00 
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS INSTRUMENTS 213 38.59 
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс     8 329 31.68 
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS INSTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS INSTRUMENTS 108 цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXASINSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   XINBOLE 9 834 16.00 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход