|
Корпус | TO-3P(L) |
Корпус (размер) | TO-3P(L) (2-21F1B) |
Тип монтажа | Выводной |
Power - Max | 150W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
2SK1530 (Полевые МОП транзисторы) N Channel Mos Type (high Power Amplifier Application)
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1370E | ||||||||
2SA1370E | ||||||||
2SA1370E | SANYO | 8 | 79.05 | |||||
2SJ201 | Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | TOSHIBA | ||||||
2SJ201 | Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | TOS | ||||||
2SJ201 | Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | 566.20 | ||||||
2SJ201 | Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | КИТАЙ | ||||||
4700МКФ 50 (25X40)105°C | ||||||||
6Н23П-ЕВ | 1 512.00 | |||||||
6Н23П-ЕВ | RUS | |||||||
ВТУЛКА ИЗОЛ. IN220SW TO220 6 MM | ||||||||
ВТУЛКА ИЗОЛ. IN220SW TO220 6 MM | ГЕРМАНИЯ | |||||||
ВТУЛКА ИЗОЛ. IN220SW TO220 6 MM | FISCHER |
|