2SK1530

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK1530		559.64

Версия для печати

Технические характеристики 2SK1530

Корпус	TO-3P(L)
Корпус (размер)	TO-3P(L) (2-21F1B)
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	150W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	900pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK1530 (Полевые МОП транзисторы)

N Channel Mos Type (high Power Amplifier Application)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK1530 datasheet
184.19Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1370	Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz	SANYO
2SA1370	Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz		18	28.80
2SA1370	Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz	SAN
2SA1370	Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz	МАЛАЙЗИЯ
2SJ201	Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)	TOSHIBA
2SJ201	Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)	TOS
2SJ201	Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)			566.20
2SJ201	Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)	КИТАЙ
470МКФ 50 (13X21)105°C
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс		85	66.50
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	СЗТП	12	438.60
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КП903Б				186.00
КП903Б		ПУЛЬСАР