|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
60EPF12 |
|
Диод 60А 1200В 70нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
60EPF12 |
|
Диод 60А 1200В 70нс
|
|
|
329.16
|
|
|
|
60EPF12 |
|
Диод 60А 1200В 70нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
AD8042AR |
|
Сдвоенный операционный усилитель, вых. размах до шин питания, 100 МГц, 200В/мкс, Uсм = ...
|
ANALOG DEVICES
|
8
|
703.80
|
|
|
|
AD8042AR |
|
Сдвоенный операционный усилитель, вых. размах до шин питания, 100 МГц, 200В/мкс, Uсм = ...
|
|
|
452.92
|
|
|
|
AD8042AR |
|
Сдвоенный операционный усилитель, вых. размах до шин питания, 100 МГц, 200В/мкс, Uсм = ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8042AR |
|
Сдвоенный операционный усилитель, вых. размах до шин питания, 100 МГц, 200В/мкс, Uсм = ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
7
|
440.82
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
|
|
1 024.64
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
США
|
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MHU-5КОМПЛЕКТ |
|
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
PIC16F76-I/SO |
|
8Kx14 Flash 22I/O 20MHz
|
MICRO CHIP
|
52
|
810.90
|
|
|
|
PIC16F76-I/SO |
|
8Kx14 Flash 22I/O 20MHz
|
|
68
|
329.12
|
|
|
|
PIC16F76-I/SO |
|
8Kx14 Flash 22I/O 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F76-I/SO |
|
8Kx14 Flash 22I/O 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F76-I/SO |
|
8Kx14 Flash 22I/O 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|