|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
6 404
|
2.68
|
|
|
|
533ЛА3 (К533ЛА3) |
|
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
|
16
|
440.00
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
ВОСХОД
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
НЗПП
|
4
|
546.00
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
РОДОН
|
8
|
535.50
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
ФОРМ МОСКВА
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-SU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ATMEL
|
30
|
300.00
|
|
|
|
AT45DB161D-SU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
|
|
212.00
|
|
|
|
AT45DB161D-SU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-SU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-SU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-SU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ADESTO TECHNOLOGY CORP.
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-SU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ADESTO
|
|
|
|
|
|
IRL640PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRL640PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRL640PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRL640PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
|
|
|
|