Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | AVR® ATtiny |
Процессор | AVR |
Размер ядра | 8-Bit |
Скорость | 20MHz |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Число вводов/выводов | 6 |
Размер программируемой памяти | 1KB (512 x 16) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 64 x 8 |
Размер памяти | 64 x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 5.5 V |
Преобразователи данных | A/D 4x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
532
|
6.43
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
16 000
|
2.69
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
|
8 872
|
1.26
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
5 545
|
12.92
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
46
|
2.08
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
HOTTECH
|
102
|
2.34
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
64
|
2.04
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
CHINA
|
18 400
|
1 304.10
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ZH
|
344
|
4.13
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SUNTAN
|
3 040
|
2.02
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
LGE
|
1 860
|
2.18
|
|
|
|
CE016M0010REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 16 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CE016M0010REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 16 В
|
|
|
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
|
40 391
|
9.05
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
BM
|
|
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
|
40 391
|
9.05
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
NXU
|
|
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
RUICHI
|
3 452
|
13.06
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
CHINA
|
110
|
9 266.92
|
|
|
|
SS14-E3/61T |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14-E3/61T |
|
|
VISHAY
|
3 803
|
9.95
|
|
|
|
SS14-E3/61T |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14-E3/61T |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SS14-E3/61T |
|
|
|
160
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
1 204
|
11.96
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 539
|
16.80
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.21
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1 920
|
48.56
|
|