|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
1 584
|
332.33
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
|
|
479.20
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ |
|
4 канала, пр/обр канал=2/2, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
|
|
20.80
|
|
|
|
LM339M |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
61
|
97.29
|
|
|
|
LM339M |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM339M |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
633
|
252.96
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
|
|
327.16
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
SN74AHC1G04QDCKRQ1 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74AHC1G04QDCKRQ1 |
|
|
|
|
18.68
|
|
|
|
SN74AHCT244PWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74AHCT244PWR |
|
|
|
|
48.20
|
|
|
|
SN74AHCT244PWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
729
|
|
|
|
|
SN74AHCT244PWR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|