Версия для печати
Технические характеристики BCW66G

Корпус	SOT-23
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

BCW 65 NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) Также в этом файле: BCW 66G Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BCW66G datasheet 137.97Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA88-20AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL
		ATMEGA88-20AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...			187.64
		ATMEGA88-20AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL CORPORATION	100
		ATMEGA88-20AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	США
		ATMEGA88-20AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATMEGA88-20AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL1
		ATMEGA88-20AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP
		ATMEGA88-20AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP	1 480
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FSC
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)			7.24
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	NXP
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	NXP	48
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONS
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ТАИЛАНД
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	INFINEON
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	PHILIPS
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	NXP	1 172	6.00
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz		408	2.80
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	-
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	PHILIPS
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	NXP
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	ГОНКОНГ
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	КИТАЙ	1 600	5.00
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	HOTTECH	4 720	3.71
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	KLS
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	NEX-NXP
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	DIOTEC	7 240	5.05
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	ASEMI
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	YJ	75 560	5.45
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	YIXING	11 200	3.72
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	JSCJ
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	1
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	KOME	1 125	4.87
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	YAGEO
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
		TECAP 1/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 1 мкФ 16 В	SAMSUNG
		TECAP 1/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 1 мкФ 16 В	VISHAY
		TECAP 1/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 1 мкФ 16 В	SAM

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"