Версия для печати
Технические характеристики BDW94C

Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	80W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 100mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	12A
Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007

BDW94 PNP SILICON POWER DARLINGTONS Также в этом файле: BDW94C Производитель: Bourns Electronic Solutions //www.bourns.ru BDW94C datasheet 111.51Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	124 163	2.00
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	394 605	1.40
		1N4007			DIOTEC	74 110	3.25
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	115 052	1.40
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				19 431	1.64  >100 шт.   0.82
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	104	1.92
		1N4007			HOTTECH	93 391	1.36
		1N4007			KLS	58 400	2.95
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	127 200	1.76
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG	144	2.21
		1N4007			KUU	2	1.20  >100 шт.   0.60
		1N4007			CHINA	15 317	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	86 281	2.24
		1N4007			TWGMC	43 840	1.10  >100 шт.   0.55
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	125	2.76
		B66307-G-X187					20.00
		B66307-G-X187			EPCS
		B66307-G-X187			EPCOS
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRONICS	8	102.00
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIR
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ON SEMICONDUCTOR
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)		6	76.80
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIRCHILD
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	FAIRCHILD
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ON SEMICONDUCTOR
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	STMicroelectronics
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	Fairchild Semiconductor
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ТАИЛАНД
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	ST MICROELECTRO
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	MULTICOMP
		BDX33C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)	1
		EFD30 CLIP СКОБА				1	14.00
		EFD30 CLIP СКОБА			SHINHOM
		EFD30 CLIP СКОБА			КИТАЙ
		МЛТ - 0.25 ВТ 750 ОМ 10%				2 992	1.12

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"