Версия для печати
Технические характеристики BF959

Current	5mA
Выход	0.15µW, cm2@1"
Напряжение	375V Start, 150V Operating
Тип	CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum
Size / Dimension	9.0mm x 59mm
Lead Free Status / RoHS Status	Not applicable
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Frequency - Transition	700MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	3dB @ 200MHz
Power - Max	625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

BF959 NPN Silicon RF Transistor (For SAW filter driver applications in TV tuners For linear broadband VHF amplifier stages) Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BF959 datasheet 69.91Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Флуоресцентные лампы с холодным катодом (CCFL и UV)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0402-X5R-10UF 10% 4V		Керамический конденсатор 10 мкФ 4 В	MURATA
		0402-X5R-10UF 10% 4V		Керамический конденсатор 10 мкФ 4 В			22.00
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	NXP
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	PHILIPS
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	DC COMPONENTS	4 882	3.46
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35			12.24
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	NXP	14
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	OTHER
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	PHILIPS	22 181
		BC328-25		TO-92	FAIR
		BC328-25		TO-92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC328-25		TO-92	NXP
		BC328-25		TO-92			16.00
		BC328-25		TO-92	FAIRCHILD
		BC328-25		TO-92	FAIRCHILD
		BC328-25		TO-92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIR
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	MOTOROLA
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	SIEMENS
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	MOTOROLA
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	OTHER	818
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS	8 960
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz	Fairchild Semiconductor
		BC637		Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz			8.44
		PIC16F688-I/P			MICRO CHIP
		PIC16F688-I/P				3	336.00
		PIC16F688-I/P			MICRO CHIP	39
		PIC16F688-I/P			Microchip Technology
		PIC16F688-I/P			ТАИЛАНД
		PIC16F688-I/P			0.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"