|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
92 304
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
2 885
|
2.90
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
21 376
|
2.46
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
103 291
|
1.46
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
3.00
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.63
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
150 272
|
1.55
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
1 940
|
2.07
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
МАХ
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
ONS
|
1 412
|
34.85
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
YOUTAI
|
2 880
|
11.19
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
UMW
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
АОТ166А |
|
(5П32Е)
|
ПРОТОН
|
3 504
|
105.78
|
|
|
|
АОТ166А |
|
(5П32Е)
|
|
160
|
138.00
|
|
|
|
АОТ166А |
|
(5П32Е)
|
ИЗЛУЧАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
АОТ166А |
|
(5П32Е)
|
ПРОТОН
|
|
|
|