BLT80
ВЧ 900МГц 7.5В/ /0.8Вт Gp>6Дб
|
|
Версия для печати
| Frequency - Transition | 900MHz |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 2W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 150mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BLT80 (Радиочастотные биполярные транзисторы) Uhf Power Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт | NXP | 30 | 145.20 | |
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт |
|
|
||
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт |
|
|
||
|
|
BLT81 |
|
ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб | 44 | 148.00 | |||
|
|
BLT81 |
|
ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб | NXP |
|
|
||
|
|
BLT81 |
|
ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб | NXP |
|
|
||
| NE5520379A-A |
|
529.60 | ||||||
| NE5520379A-A | RENESAS |
|
|
|||||
| NE5520379A-A | CEL |
|
|
|||||
| RD07MVS1B | MITSUBISHI |
|
|
|||||
| RD07MVS1B |
|
755.20 | ||||||
| RD07MVS1B | MIT |
|
|
|||||
| SA636DK |
|
ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20 | 2 | 166.50 | ||||
| SA636DK |
|
ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20 | PHILIPS |
|
|
|||
| SA636DK |
|
ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20 | PHILIPS |
|
|
|||
| SA636DK |
|
ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 306 |
|
