BMS2M-MDT-P
Высокоскоростной фотоэлектрический датчик со встроенной защитой выхода.
|
* Защита от переполюсовки и перегрузки по току * Высокое быстродействие: время срабатывания менее 1 мс * Выбор режима срабатывания (на свет / на затемнение) путем коммутации управляющего входа * Встроенный регулятор чувствительности (за исключением моделей на пересечение луча) |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
