|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
60 712
|
2.25
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
95 264
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
41 201
|
2.14
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.59
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
89 322
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
121 967
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
1
|
1.16
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
57 315
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
72 000
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
|
43 604
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DC COMPONENTS
|
9 489
|
3.00
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
4 241
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
5 020
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DIOTEC
|
115 962
|
1.24
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHI
|
25
|
1.75
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
HOTTECH
|
4 808
|
1.11
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SUNTAN
|
12
|
2.54
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
1
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
JSCJ
|
24 882
|
1.77
|
|
|
|
CKX2-2.5-04 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.44
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
REF198GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF198GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF198GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF198GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF
|
США
|
|
|
|
|
|
REF198GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF198GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF
|
ANALOG DEVICES
|
3
|
|
|
|
|
REF198GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF
|
|
2
|
|
|