BSP295
Транзистор полевой SMD N-канальный 60V 1,8A 1,8W 0,3R
|
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SIPMOS® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 368pF @ 25V |
| Power - Max | 1.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | PG-SOT223-4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSP295 SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
Производитель:
|
