BUL45D2G
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 400mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 2A, 1V |
| Power - Max | 75W |
| Frequency - Transition | 13MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W | 2 | 96.80 | ||
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W | КИТАЙ |
|
|
|
 |
|
IXTH8P50 |
|
Standard power mosfet | IXYS |
|
|
|
|
|
|
IXTH8P50 |
|
Standard power mosfet | IXYS CORPORATION |
|
|
|
|
|
|
IXTH8P50 |
|
Standard power mosfet |
|
1 224.04 | ||
| L4981BD | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L4981BD |
|
464.00 | ||||||
| L4981BD | ST MICROELECTRONICS SEMI | 452 |
|
|||||
| L4981BD | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L4981BD | ST1 |
|
|
|||||
| L4981BD | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| NCP1203D60R2G | 1 | 187.20 | ||||||
| NCP1203D60R2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1203D60R2G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1203D60R2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| UC3842BD1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| UC3842BD1 |
|
74.40 | ||||||
| UC3842BD1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| UC3842BD1 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| UC3842BD1 | ST MICROELECTRONICS | 800 | 66.30 |
