BUL45D2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BUL45D2G		161.44

Версия для печати

Технические характеристики BUL45D2G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 2A, 1V
Power - Max	75W
Frequency - Transition	13MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	VISHAY
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W		2	96.80
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	Vishay/Siliconix
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	КИТАЙ
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	INFINEON
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	IR/VISHAY
IXTH8P50	Standard power mosfet	IXYS
IXTH8P50	Standard power mosfet	IXYS CORPORATION
IXTH8P50	Standard power mosfet			1 224.04
NCP1203D60R2G			1	187.20
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1203D60R2G		ONS
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTO
UC3842BD1		ON SEMICONDUCTOR
UC3842BD1				74.40
UC3842BD1		ON SEMICONDUCTOR
UC3842BD1		STMicroelectronics
UC3842BD1		ST MICROELECTRONICS	800	66.30