Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Частота | 315MHz, 433MHz, 868MHz, and 915MHz |
Data Rate - Maximum | 500kBaud |
Modulation or Protocol | 2-FSK, ASK, GFSK, MSK, OOK |
Сфера применения | AMR, ISM, SRD |
Power - Output | -30dBm ~ 10dBm |
Sensitivity | -111dBm |
Напряжение питания | 1.8 V ~ 3.6 V |
Current - Receiving | 17.1mA |
Current - Transmitting | 32.3mA @ 10dBm |
Интерфейс подключения | PCB, Surface Mount |
Antenna Connector | PCB, Surface Mount |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 20-VFQFN Exposed Pad |
Frequency | 315MHz, 433MHz, 868MHz, and 915MHz |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
|
14 400
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
PHILIPS
|
477
|
2.10
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
NXP
|
2 270
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
GALAXY ME
|
1 081
|
1.31
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
HOTTECH
|
12 856
|
1.17
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
SEMTECH
|
22
|
1.88
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
NEX-NXP
|
392
|
4.13
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
YJ
|
152 449
|
1.02
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
SUNTAN
|
19 440
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MUR
|
13 424
|
14.04
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MURATA
|
2 973
|
21.49
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
119 147
|
9.66
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
6 208
|
7.43
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
2 880
|
4.13
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONS
|
136
|
237.64
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
|
10
|
79.38
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMI
|
|
|
|