|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT254 |
|
SMD Шоттки 30V 0,2A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT254 |
|
SMD Шоттки 30V 0,2A
|
PHILIPS
|
8
|
44.08
|
|
|
|
BAT254 |
|
SMD Шоттки 30V 0,2A
|
|
|
24.80
|
|
|
|
BAT254 |
|
SMD Шоттки 30V 0,2A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 431
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
19 557
|
33.46
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
|
8 880
|
10.42
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TRR
|
6 880
|
4.92
|
|
|
|
M24512-WMN6P |
|
Память EEPROM (64Kx8 bit (512K bit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=2.5.5.5V, -40 to +85C).
|
ST MICROELECTRONICS
|
296
|
97.28
|
|
|
|
M24512-WMN6P |
|
Память EEPROM (64Kx8 bit (512K bit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=2.5.5.5V, -40 to +85C).
|
|
|
108.72
|
|
|
|
M24512-WMN6P |
|
Память EEPROM (64Kx8 bit (512K bit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=2.5.5.5V, -40 to +85C).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M24512-WMN6P |
|
Память EEPROM (64Kx8 bit (512K bit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=2.5.5.5V, -40 to +85C).
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
M24512-WMN6P |
|
Память EEPROM (64Kx8 bit (512K bit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=2.5.5.5V, -40 to +85C).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
PMV213SN |
|
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PMV213SN |
|
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PMV213SN |
|
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
|
4
|
30.72
|
|
|
|
PMV213SN |
|
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
NXP
|
133
|
|
|
|
|
PMV213SN |
|
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0603 62К 5% |
|
|
KOME
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0603 62К 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|