| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
60 497
|
1.78
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
263 423
|
1.40
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
77 582
|
2.88
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
266 021
|
1.48
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
6.12
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
183 154
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
63 261
|
1.97
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
88 759
|
1.21
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
4 720
|
2.95
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
9 600
|
1.57
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
15 317
|
1.02
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
93 724
|
2.02
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
75 760
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
125
|
2.37
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
16 103
|
1.20
|
|
|
|
|
CF-0.125-10K 5% |
|
Резистор углеродистый 13Вт, 10кОм, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
CF-0.125-10K 5% |
|
Резистор углеродистый 13Вт, 10кОм, 5%
|
|
280
|
2.00
|
|
|
|
|
CF-0.125-200 5% |
|
Резистор углеродистый
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
CF-0.125-200 5% |
|
Резистор углеродистый
|
|
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
|
1 043
|
39.90
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
СТАРТ
|
168
|
32.47
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
|
303
|
29.75
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
БРЯНСК
|
1 856
|
34.00
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
