CN2220S14BAUTOE2G2
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM2937IMP-12 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | NSC |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 |
|
133.64 | |||||
|
|
LM2937IMP-12 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
| SM8S12A/2D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
TL431IDBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 5 130 | 9.07 | ||||
|
|
TL431IDBVR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TL431IDBVR | 1 440 | 18.29 | |||||
|
|
TL431IDBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 8 |
|
||||
|
|
TL431IDBVR | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
TLE4274GV50 |
|
358.80 | |||||
|
|
TLE4274GV50 | INFINEON |
|
|
