|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
|
|
288.00
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
308
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
ANALOG DEVICES
|
56
|
733.76
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
|
|
788.00
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
505
|
|
|
|
|
DB-5R5D105T |
|
|
ELNA
|
528
|
297.59
|
|
|
|
DB-5R5D105T |
|
|
ELNA
|
|
|
|
|
|
DB-5R5D105T |
|
|
Elna America
|
|
|
|
|
|
DB-5R5D105T |
|
|
|
|
|
|
|
|
DB-5R5D105T |
|
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
|
2
|
272.00
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
289
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
187 394
|
2.89
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
21 150
|
4.86
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
108 948
|
2.83
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
24 225
|
8.45
|
|