Версия для печати
Технические характеристики ECAP 4700/50V 2245 105C

Производитель	JAMICON CORPORATION
Количество в упаковке	1 шт.
Вес	24.150 г
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	50 В
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 22x45
Рабочая температура	-55...105 °C
Код производителя	TKR472M1HN45
	Wide Temperature Range
Емкость	4700 мкФ
Серия	TK
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ, 50 В, 105С ECAP 4700/50V 2245 105C datasheet 7,48MB 627стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 2.2/160V 0611 105C RD		Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 160 В	SAMWHA
		ECAP 2.2/160V 0611 105C RD		Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 160 В
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	DC COMPONENTS	229	208.81
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V		795	60.98
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	GALAXY
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	MASTER INSTRUMENT CO
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	MIC
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	---
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	DING
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	YJ	228	142.51
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	KOME	272	111.70
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	WUXI XUYANG
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	HOTTECH	1 616	91.26
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	YANGJIE	25 200	82 547.26
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	KLS	3 040	216.97
		KBPC2510		Диодный мост 25A, 1000V	TRR	80	51 597.00
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 389	12.41
		PIC16F873A-E/SP			Microchip Technology
		PIC16F873A-E/SP			MICRO CHIP	60
		PIC16F873A-E/SP
		SK100M0033B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 100 В	YAGEO
		SK100M0033B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK100M0033B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"