|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
6 444
|
5.31
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
13 386
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
992
|
2.95
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
9 080
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
61 438
|
1.84
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.06
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.17
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
5 063
|
4.77
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
4 418
|
3.84
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
10 400
|
1.30
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 666
|
1.86
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.24
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
AD629BRZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1, Uсинф=+500В, Uсдв=100мкВ, 3мкВ/°С, Rвх=800кОм, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD629BRZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1, Uсинф=+500В, Uсдв=100мкВ, 3мкВ/°С, Rвх=800кОм, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD629BRZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1, Uсинф=+500В, Uсдв=100мкВ, 3мкВ/°С, Rвх=800кОм, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD629BRZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1, Uсинф=+500В, Uсдв=100мкВ, 3мкВ/°С, Rвх=800кОм, ...
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
|
22 302
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
PHILIPS
|
368
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
КИТАЙ
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
KLS
|
24 000
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V3 |
|
Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт
|
SUNTAN
|
420
|
1.33
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
DC COMPONENTS
|
1 805
|
9.83
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
|
16 139
|
5.33
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
YJ
|
72
|
9.21
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
КИТАЙ
|
80
|
30.60
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
YS
|
|
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF54 |
|
Быстрый диод (5А/150А,200В)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|