FQPF6N90C
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V |
| Power - Max | 56W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
| Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQP6N90C 900V N-Channel MOSFET Также в этом файле: FQPF6N90C
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
74HCT147D,652 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
74HCT147D,652 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
74HCT147D,652 |
|
NEX |
|
|
||
| SK050M0470B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK050M0470B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK050M0470B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SQP-5-18 ОМ-5% | 1 | 17.60 | ||||||
| VR05D-511K | HITANO |
|
|
|||||
| VR05D-511K |
|
5.08 | ||||||
 |
|
К73-17-400-4.7 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 4.7мкФ, 400В, 10% |
|
92.00 | ||
|
|
|
К73-17-400-4.7 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 4.7мкФ, 400В, 10% | SUNTAN |
|
|
|
|
|
|
К73-17-400-4.7 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 4.7мкФ, 400В, 10% | КИТАЙ |
|
|
