GA200SA60S
Тиристор IGBT модуль
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Конфигурация | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 100A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 16.25nF @ 30V |
| Power - Max | 630W |
| Вход | Standard |
| NTC Thermistor | Нет |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
GA200SA60S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
 | ПК16-12М6016 Предназначен для установки на монтажную панель (внутри шкафа) 'Напряжение, В постоянного тока 1-30 переменного тока 1-250 Ток, А постоянный... 2605.52 руб Купить |
 | PST-3201 Три канала: 32 В / 1 А; Нестабильность 3 мВ, 3 мА; пульсации 1 мВ, 3 мА ср. кв.; Дискретность установки 10 мВ; 1 мА; Режимы стабилизации напряжения и... Купить |
 | МГШВ-0.12 БЕЛ. Провод предназначен для внутриприборного и межприборного монтажа, для фиксированого монтажа приборов и аппаратов, соединения электронной и электрическ... 6.80 руб Купить |
