|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MURATA
|
66 676
|
5.90
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MUR
|
54 784
|
4.85
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
|
|
12.92
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MURA
|
|
|
|
|
|
NP0-27PF 5% 100V |
|
Керамический конденсатор 27 пФ 100 В
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
NP0-27PF 5% 100V |
|
Керамический конденсатор 27 пФ 100 В
|
|
|
1.76
|
|
|
|
TME 0509S |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход 9V/110mA, изоляция 1000VDC, ...
|
TRACO
|
62
|
987.32
|
|
|
|
TME 0509S |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход 9V/110mA, изоляция 1000VDC, ...
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
600
|
19.25
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
976
|
24.00
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
72.00
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|