HUF76639P3


Транзистор полевой MOSFET 100В, 50А

HUF76639P3 цена 300.00 руб.  (без НДС 20%)
HUF76639P3 Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
HUF76639P3 цена радиодетали 300.00 

Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 100V B
Предельный ток затвора транзистора (Id): 50 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.027 Ом

Технические характеристики HUF76639P3

Lead Free Status / RoHS StatusRequest inventory verification / Request inventory verification
СерияUltraFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 51A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C51A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
Power - Max180W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru