|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SANYO
|
4
|
193.80
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
|
1
|
121.20
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISC
|
1 756
|
58.73
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
8
|
94.46
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
187.20
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm
|
|
|
65.60
|
|
|
|
SDR1006-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
SDR1006-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 9,8x5,8mm
|
|
|
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
|
|
193.12
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
КИТАЙ
|
|
|
|