ILD217T
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс CTR >100% SO8
|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип выхода | Transistor |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Напряжение выходное | 70V |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 1mA |
| Тип входа | DC |
| Voltage - Isolation | 4000Vrms |
| Количество каналов | 2 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Transistor |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ILD2xxT Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package Также в этом файле: ILD217T
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAT54ALT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAT54ALT1G | ONS | 3 294 | 4.94 | |||||
| BAT54ALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 26 376 |
|
|||||
| BAT54ALT1G | LRC |
|
|
|||||
| BAT54ALT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAT54ALT1G | ONSEMI | 167 | 3.84 | |||||
| BAT54ALT1G |
|
|
||||||
 |
 |
BLS-12 |
|
гнездо на кабель 1х12 с контактами 2.54мм | 55 | 35.15 | ||
|
|
|
BLS-12 |
|
гнездо на кабель 1х12 с контактами 2.54мм | HSUAN MAO |
|
|
|
|
|
|
BLS-12 |
|
гнездо на кабель 1х12 с контактами 2.54мм | BM |
|
|
|
|
|
|
BLS-12 |
|
гнездо на кабель 1х12 с контактами 2.54мм | NXU |
|
|
|
|
|
|
BLS-12 |
|
гнездо на кабель 1х12 с контактами 2.54мм | NLT | 10 | 4.01 | |
|
|
|
BLS-12 |
|
гнездо на кабель 1х12 с контактами 2.54мм | SHAINOR | 148 | 7.55 | |
|
|
|
BLS-12 |
|
гнездо на кабель 1х12 с контактами 2.54мм | KLS | 1 600 | 2.44 | |
| CKX3-3.5-23 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
||||||
| PB07-AA-0G0 |
|
|
||||||
| SK22D03VG |
|
|
