|
Корпус | D2Pak (SMD-220 5-Lead) |
Корпус (размер) | TO-263-5, D²Pak (4 leads + Tab), TO-263BB |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Напряжение питания | 5.5 V ~ 35 V |
Ток - выходной (пиковое значение) | 10A |
Ток выходной / канал | 1.9A |
Сопротивление (On-State) | 55 mOhm |
Число выходов | 1 |
Тип входа | Non-Inverting |
Тип | High Side |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
IPS521 (N-канальные транзисторные модули) FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH Также в этом файле: IPS521S
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IN74AC132D | IK SEMICONDUCTOR | |||||||
IN74AC132D | 56.00 | |||||||
IN74AC132D | ИНТЕГРАЛ | |||||||
КТ816А | Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 2 198 | 26.40 | |||||
КТ816А | Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 480 | 35.70 | ||||
КТ816А | Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК | ||||||
КТ816А | Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 3 749 | 28.00 | ||||
КТ816А | Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS | ||||||
КТ816А | Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|