IRF510S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF510S		113.32

Версия для печати

Технические характеристики IRF510S

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 3.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	180pF @ 25V
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.