Версия для печати
Технические характеристики IRF7204

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 5.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	860pF @ 10V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7204 (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7204 datasheet 146.87Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4729A3.6V			DC COMPONENTS
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	FAIR
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	MOTOROLA
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	NXP
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	PHILIPS
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	FAIRCHILD
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	FAIRCHILD
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	MOTOROLA	1 199
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	NXP
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR	121 655
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	OTHER
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	PHILIPS
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	Fairchild Semiconductor
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт		9 120	1.97
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	КИТАЙ
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	KINGTRONICS
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	MULTICOMP
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	YJ
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	YANGJIE
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		1N4738A		Стабилитрон 8.2В, 1Вт	DC COMPONENTS
		78L05 (LM78L05)		Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	HTC
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		6 605	4.05
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	9 120	13.44
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		11 310	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	26 281	46.20
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 760	113.65
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"