![]() |
|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 15A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7980pF @ 15V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7425 20V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
0805-51.0K 1% |
![]() |
ЧИП — резистор 51кОм, 1%, 0805 | 2 403 | 1.24 | ||
0805-510K 1% |
![]() |
ЧИП — резистор | 672 | 1.24 | ||||
0805-68.0К 5% |
![]() |
ЧИП — резистор |
![]() |
1.20 >500 шт. 0.40 |
||||
1206-4.7M 1% |
![]() |
ЧИП — резистор |
![]() |
1.44 >500 шт. 0.48 |
||||
1206-5.1M 1% |
![]() |
ЧИП — резистор | 112 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
|
Корзина
|