![]() |
|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 20V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7469 (Дискретные сигналы) Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MF-2 91 5% |
![]() |
![]() |
||||||
MF-2-5.1 5% |
![]() |
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
![]() |
![]() |
|||
MF-2-5.1 5% |
![]() |
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | 1 314 | 8.00 | ||||
SQP-5W-100 5% |
![]() |
Резистор постоянный керамический прямоугольный | TAIWAN |
![]() |
![]() |
|||
SQP-5W-100 5% |
![]() |
Резистор постоянный керамический прямоугольный |
![]() |
12.68 | ||||
МР1-19-1-В | 9 | 14 081.10 | ||||||
![]() |
МР1-19-5-В | 24 | 633.60 |
|
Корзина
|