IRF7488
Транзистор полевой SMD N-канальный 80В 6.3А
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7488 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1210-B82422T22UHK | EPCOS |
|
|
|||||
| 1210-B82422T22UHK | TDK (EPCOS) |
|
|
|||||
| 2РМТ18Б7Г1А1В | 2 | 2 800.00 | ||||||
| 2РМТ18Б7Г1А1В | ИСЕТЬ |
|
|
|||||
| 2РМТ18Б7Г1А1В | ЭЛЕКОН |
|
|
|||||
| 2РМТ18Б7Г1А1В | 1 |
|
|
|||||
 |
IN74AC86D | IK SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
IN74AC86D | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
IN74AC86D |
|
72.00 | |||||
|
|
IN74AC86D | ???????? |
|
|
||||
| VS-42CTQ030PBF (VS-42CTQ030-N3) | VISHAY |
|
|
|||||
 |
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 |
|
576.00 | |||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | ПРОТОН | 1 244 | 600.00 | ||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | ИЗЛУЧАТЕЛЬ |
|
|
||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | ПРОТОН |
|
|
