IRF7488
Транзистор полевой SMD N-канальный 80В 6.3А
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7488 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2РМТ39Б45Ш2А1В |
|
|
||||||
| 2РМТ39Б45Ш2А1В | ЭЛЕКОН |
|
|
|||||
| 2РМТ39Б45Ш2А1В |
|
|
||||||
| IDC2-10F PITCH 2.00 MM | 8 888 | 10.06 | ||||||
| IDC2-10F PITCH 2.00 MM | RUICHI | 1 807 | 9.40 | |||||
 |
 |
MAX202EEUE+ |
|
Maxim Integrated Products |
|
|
||
|
|
|
MAX202EEUE+ |
|
MAXIM | 72 |
|
||
|
|
|
MAX202EEUE+ |
|
|
|
|||
| MW-8MR |
|
|
||||||
| MW-8MR | KLS | 4 956 | 3.01 | |||||
 |
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | 380 | 89.25 | ||
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | КРЕМНИЙ | 4 | 79.05 | |
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | БРЯНСК | 500 | 112.00 | |
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | RUS |
|
|
