IRF7493
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1510pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7493 (Мощные полевые МОП транзисторы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
PCA9600D,112 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
PCA9600D,112 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
PCA9600D,112 |
|
|
|
|||
| PSD1-A-1205E | PEAK |
|
|
|||||
| PSD1-A-1205E |
|
|
||||||
| STM32F407VET6 | ST MICROELECTRONICS | 3 200 | 580.56 | |||||
| STM32F407VET6 | 121 | 756.80 | ||||||
| STM32F407VET6 | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| STM32F407VET6 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 31 |
|
|||||
| STM32F407VET6 | STMICROELECTR |
|
|
|||||
 |
|
TSR 1-24120 |
|
TRACO | 1 667 | 873.13 | ||
|
|
|
TSR 1-24120 |
|
|
|
|||
 |
|
TSR 1-2433 |
|
DC/DC, вход 5,5:32VDC, выход 3,3В/1 А, неизолированный,корпус SIP3 11,7x10,2x7,6 мм, ... | TRACO | 178 | 816.99 | |
|
|
|
TSR 1-2433 |
|
DC/DC, вход 5,5:32VDC, выход 3,3В/1 А, неизолированный,корпус SIP3 11,7x10,2x7,6 мм, ... |
|
|
