IRF9952Q

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF9952Q		359.60

Версия для печати

Технические характеристики IRF9952Q

Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	190pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	N and P-Channel
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.