IRF9Z24NS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF9Z24NS		55.56

Версия для печати

Технические характеристики IRF9Z24NS

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF9Z24NS (P-канальные транзисторные модули)

55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRF9Z24NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF9Z24NS datasheet
170.11Kb
10стр.