IRFB9N65A
Транзистор полевой N-канальный 650В 9.5А
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
IRFB9N65A |
|
128.76
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRFB9N65A
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930 mOhm @ 5.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1417pF @ 25V |
Power - Max | 167W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB9N65A (MOSFET)
HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
Vishay
|
С этим товаром покупают:
 | Р РЋР В 50-169ФВ РЎРѕРµРТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР Р…Р СвЂВВВтелРцС‚РСвЂВВВР С—Р В° Р РЋР В -50 Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля СЃРѕРµРТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВненРСвЂВВВР РЋР РЏ байонетныРѠРСвЂВВВР»РцрезьбовыРѠСЃРїРѕСЃРѕР±РѕРѠСЂР°РТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВочастотных трактовс волновыРѠСЃРѕРїСЂРѕС‚РСвЂВВВвленРСвЂВВВРµРѠ50 РћРСВВВВ. Р”РСвЂВВВапазон частот РѕС‚ 300... 472.50 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | DLA/6SGD СветоРТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВРѕР҆20Р В Р’В Р РЋР’ВВВР В Р’В Р РЋР’В 12 вывоРТвЂВВВовВысокая Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВнтенсРСвЂВВВвность свеченРСвЂВВВР РЋР РЏ Малое потребленРСвЂВВВР В Р’Вµ Р В Р РѓР В РЎвЂВВВСЂРѕРєРСвЂВВВР в„– СѓРіРѕР» РѕР±Р·РѕСЂР° Легко устанавлРСвЂВВВвается Р Р…Р В° печатную плату Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР»РцгнезРТвЂВВВР С•... РљСѓРїРСвЂВВВть |