![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930 mOhm @ 5.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1417pF @ 25V |
Power - Max | 167W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB9N65A (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | Р В РЎв„ў176Р СћР Сљ1 8.40 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | TEN 40-2411 Dc/dc конвертер серРСвЂВР С†ten 40 Р В Р’В Р РЋР’Вощностью 40 ваттОсобенностРСвЂВ: Р В Р РѓР В РЎвЂВСЂРѕРєРСвЂВР в„– Р В Р’В Р СћРІР‚ВР В Р’В Р РЋРІР‚Вапазон РІС…РѕРТвЂВных напряженРСвЂВР в„– 2:1 Доступны Р В Р’В Р РЋР’ВРѕРТвЂВелРцСЃ РѕРТвЂВР Р…Р СвЂВР В Р’В Р РЋР’В, Р В Р’В Р СћРІР‚ВРІСѓРСВВР РЋР РЏ РцтреРСВВР РЋР РЏ выхоРТвЂВР°РСВВР В Р’В Р РЋРІР‚В... 12837.81 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | P26TG-1212E2:1H35MLF P26tg-1212e2:1h35mlf - dc/dc преобразователь Р В Р’В Р РЋР’Вощностью 6 Р  В Р вЂ Р РЋРІР‚С™, РєРѕСЂРїСѓСЃ: Р В Р’В Р СћРІР‚Вля Р В Р’В Р РЋР’Вонтажа Р Р…Р В° печатную плату dip24 РљСѓРїРСвЂВть |
|
Корзина
|