![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930 mOhm @ 5.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1417pF @ 25V |
Power - Max | 167W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB9N65A (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | STP4NA40FI Купить |
![]() | IS61LPS51236A Р вЂРЎвЂ№РЎРѓРЎвЂљРЎР‚одействующее СЃРёРЅС…СЂРѕРЅРЅРѕРµ статическое РѕР·Сѓ 512РєС…36 Купить |
![]() | TC1263-3.0 РљРСРѕРї стабилизаторы РЎРѓ РЎвЂћР С‘Р С”РЎРѓР С‘РЎР‚Р С•Р Р†Р В°Р Р…Р Р…РЎвЂ№Р С Р Р†РЎвЂ№РЎвЂ¦Р С•Р Т‘Р С•Р С Р С‘ режиРСР С•Р С Р С•РЎвЂљР С”Р В»РЎР‹РЎвЂЎР ВµР Р…Р С‘РЎРЏ Купить |
|
Корзина
|