![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930 mOhm @ 5.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1417pF @ 25V |
Power - Max | 167W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB9N65A (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | L-1394GDT 2 мм светодиод с плоской вершиной Малое потребление Подходит для групповых установок Надежен и долговечен RoHS соместимый ... Купить |
![]() | MBRB1060 Ограничительный диод шотки Малая потеря мощности, высокая эффективность Малое падение прямого напряжения Устойчивость к всплескам прямого тока Раб... Купить |
![]() | AD711 Прецизионные, высокопроизводительные операционные усилители с bifet входами Купить |
|
Корзина
|