IRFI4212H-117P
Hexfet power mosfets dual n-channel
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
IRFI4212H-117P |
|
121.56
|
|
IRFI4212H-117P (INFINEON) |
158 |
104.00
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRFI4212H-117P
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72.5 mOhm @ 6.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 490pF @ 50V |
Power - Max | 18W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-5 Full Pack |
Корпус | TO-220-5 Full-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFI4212H-117P (MOSFET)
HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
Производитель:
International Rectifier (IRF)
|
С этим товаром покупают: