IRFIB6N60A
N-канальный 600В 5.5А
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Power - Max | 60W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
| Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFIB6N60A (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4732A T/B |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт | DC COMPONENTS | 9 868 | 3.07 | |
|
|
|
1N4732A T/B |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт |
|
|
||
| 1N4749A T/B |
|
Стабилитрон 1W 24V | DC COMPONENTS | 8 384 | 3.76 | |||
| 1N4749A T/B |
|
Стабилитрон 1W 24V |
|
|
||||
 |
BU2090F |
|
MCU двенадцатиразрядный порт, (I/O expander) | ROHM |
|
|
||
|
|
BU2090F |
|
MCU двенадцатиразрядный порт, (I/O expander) |
|
547.00 | |||
 |
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | VISHAY |
|
|
||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | 320 | 10.00 | |||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | VISHAY | 7 741 |
|
||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | Vishay/Dale |
|
|
||
 |
MAX1771CPA |
|
Повышающий DC/DC, Com | MAXIM |
|
|
||
|
|
MAX1771CPA |
|
Повышающий DC/DC, Com | MAXIM |
|
|
||
|
|
MAX1771CPA |
|
Повышающий DC/DC, Com | MAX |
|
|
||
|
|
MAX1771CPA |
|
Повышающий DC/DC, Com | MAXIM INTEGR |
|
|
||
|
|
MAX1771CPA |
|
Повышающий DC/DC, Com |
|
|
