IRFIB6N60A
N-канальный 600В 5.5А
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Power - Max | 60W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
| Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFIB6N60A (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
0805-1.0M 5% |
|
ЧИП резистор 1МОм, 5% | FAITHFUL LINK |
|
|
|
|
|
|
0805-1.0M 5% |
|
ЧИП резистор 1МОм, 5% |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
 |
|
1206-4.7K 5% |
|
ЧИП — резистор 1206, 4.7K 1%, 0.33W | 1 434 |
0.96 >500 шт. 0.32 |
||
 |
|
1N4732A T/B |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт | DC COMPONENTS | 10 156 | 4.60 | |
|
|
|
1N4732A T/B |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт |
|
|
||
| 1N4749A T/B |
|
Стабилитрон 1W 24V | DC COMPONENTS | 1 762 | 4.32 | |||
| 1N4749A T/B |
|
Стабилитрон 1W 24V |
|
|
||||
 |
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | VISHAY |
|
|
||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | 320 | 10.00 | |||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | VISHAY | 7 741 |
|
||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | Vishay/Dale |
|
|
