IRFIZ34N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFIZ34N		110.12

Версия для печати

Технические характеристики IRFIZ34N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	21A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	700pF @ 25V
Power - Max	37W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFIZ34N (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFIZ34N datasheet
106.91Kb
8стр.