Версия для печати
Технические характеристики IRFIZ44N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

IRFIZ44N (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFIZ44N datasheet 108.27Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	NXP
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	PHILIPS
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA		4 205	3.61
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	NXP
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	PHILIPS	40
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	ТАИЛАНД
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	NXP/NEXPERIA
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	WEEN
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	1
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	DC COMPONENTS	207	178.27
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WTE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V		1	207.68
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MIC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YJ	760	104.22
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WUXI XUYANG	2 408	93.30
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE	13 160	81.53
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KLS	2 400	186.96
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	SEP	13	42.16
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	HOTTECH	368	80.69
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220		1	386.40
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NSC
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	США
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS INSTRUMENTS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	19 836	11.81
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		2 259	2.88
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	6 314	4.24
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	104 035	3.01
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	10 044	3.19
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MASTER INSTRUMENT CO
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	DC COMPONENTS	14 012	28.73
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MCC
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка		1 200	16.22
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MIC	3 244	14.86
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	КИТАЙ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YJ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY ME
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	KLS
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	WUXI XUYANG
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	HOTTECH	4 472	14.71
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	SEP	1 520	16.13
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YANGJIE	39 360	28.54
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	RUME	7 200	12.28

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"