IRFR13N15D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR13N15D		103.72

Версия для печати

Технические характеристики IRFR13N15D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 8.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	620pF @ 25V
Power - Max	86W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR13N15D (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=150V, Rds (on) max=0.18ohm, Id=14A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR13N15D datasheet
129.89Kb
10стр.